Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
AT-41586-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 60MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 2GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz · Усиление: 17dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V · Ток коллектора (макс): 60mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (86 Plastic) · Compression Point (P1dB): 18dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42010 | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 100-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42035G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 35-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (35 micro-X) · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42036-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (36 micro-X) · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42036-TR1G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 36-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (36 micro-X) · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42070 | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 70-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 14dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (70 mil) · Compression Point (P1dB): 21dBm ~ 20.5dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42085G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 45MD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (85 Plastic) · Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42086-BLKG | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 86-SMD · Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42086-TR1G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (86 Plastic) · Compression Point (P1dB): 20.5dB ~ 20dB | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-42086-TR2G | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 12V 80MA 86-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 8GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz · Усиление: 13dB ~ 9dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 20.5dBm ~ 20dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-64020 | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 20V 200MA 200-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 4-SMD (200 mil BeO) · Compression Point (P1dB): 26.4dBm ~ 27.5dBm | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
AT-64023 | Avago Technologies US Inc. | TRANS NPN BIPO 20V 200MA 230-SMD Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Модуляция частот: 4GHz · Мощность макcимальная: 3Вт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж · Compression Point (P1dB): 27.5dBm ~ 26.5dBm | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BCX 41 E6433 | Infineon Technologies | TRANS NPN AF/SW 125V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 125V · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 330mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 100mA, 1V · Ток коллектора (макс): 800mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF199 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF199_D74Z | Fairchild Semiconductor | TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF199_J35Z | Fairchild Semiconductor | TRANS RF NPN 25V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 25V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF240 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF240,112 | NXP Semiconductors | TRANS NPN 40V 25MA SOT54 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF240_D74Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF240_J35Z | Fairchild Semiconductor | TRANS RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF240_ND74Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 40V 50MA TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В · Модуляция частот: 1.1GHz · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF494 | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF494_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF494_D74Z | Fairchild Semiconductor | TRANSISTOR RF NPN 20V TO-92 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF 770A E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |