Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

Производитель














Серия
Тип транзистора













Частота
































































































Усиление



























































































Номинальное напряжение







































Номинал тока




















































































































Коэффициент шума
































Ток - тестовый












































































Напряжение - тестовое






























P1dB




































































































































Корпус






































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
NE3503M04-T2-ANE3503M04-T2-ANECAMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 12GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.45dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE3503M04-ANE3503M04-ANECAMP HJ-FET 12GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 12GHz  ·  Усиление: 12dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 70mA  ·  Коэффициент шума: 0.45dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE3508M04-ANE3508M04-ANECAMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.45dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 18dBm  ·  Корпус: S-Mini 4P
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE3509M04-ANE3509M04-ANECAMP HJ-FET 2GHZ 4-SMINI
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 60mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 11dBm  ·  Корпус: S-Mini 4P
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE34018-64-ANE34018-64-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE34018-T1-ANE34018-T1-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE3508M04-T2-ANE3508M04-T2-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 14dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.45dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 18dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE3509M04-T2-ANE3509M04-T2-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 17.5dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 60mA  ·  Коэффициент шума: 0.4dB  ·  Ток - тестовый: 10mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 11dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE34018-ANE34018-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NE34018-T1-64-ANE34018-T1-64-ANECAMP HJ-FET 2GHZ SOT-343
Тип транзистора: HFET  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Номинальное напряжение: 4V  ·  Номинал тока: 120mA  ·  Коэффициент шума: 0.6dB  ·  Ток - тестовый: 5mA  ·  Напряжение - тестовое: 2V  ·  P1dB: 12dBm  ·  Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MPF102GMPF102GON SemiconductorAMP JFET UHF N-CHAN 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 20mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5555_D74Z2N5555_D74ZFairchild SemiconductorAMP N-CHAN JFET 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N55552N5555Fairchild SemiconductorAMP N-CHAN JFET 25V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 25V  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Корпус: TO-92
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N59512N5951Fairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 1kHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 13mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5951_D27Z2N5951_D27ZFairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 1kHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 13mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5950_J18Z2N5950_J18ZFairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N59502N5950Fairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 15mA  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N59522N5952Fairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 1kHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 8mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5952_D75Z2N5952_D75ZFairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 1kHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 8mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N59532N5953Fairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 1kHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 5mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N5952_D74Z2N5952_D74ZFairchild SemiconductorAMP RF N-CHAN 30V TO-92
Тип транзистора: N-Channel JFET  ·  Частота: 1kHz  ·  Номинальное напряжение: 30В  ·  Номинал тока: 8mA  ·  Коэффициент шума: 2dB  ·  Напряжение - тестовое: 15V  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BLF3G21-30,112BLF3G21-30,112NXP SemiconductorsBASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 13.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 4.5A  ·  Ток - тестовый: 450mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 30Вт  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT467C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BLF3G21-6,112BLF3G21-6,112NXP SemiconductorsBASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 2GHz  ·  Усиление: 15.5dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 2.3A  ·  Ток - тестовый: 90mA  ·  Напряжение - тестовое: 26V  ·  P1dB: 6W  ·  Корпус: SOT-538A
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BLF4G10LS-160,112BLF4G10LS-160,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 894.2MHz  ·  Усиление: 19.7dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 15A  ·  Ток - тестовый: 900mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 160W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BLF4G10LS-120,112BLF4G10LS-120,112NXP SemiconductorsBASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 920MHz  ·  Усиление: 19dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 12A  ·  Ток - тестовый: 650mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 48W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  previous12345678 ... 49  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising