| Log in Register |
| Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
| PTFA082201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA092201E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
| PTFA082201E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA092201E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA092201E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA082201F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA092201F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA082201F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA092201F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA082201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 894MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.95A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
| PTFA092201F V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 18.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.85A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 220Вт | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
| PTFA142401EL V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA142401EL V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA142401FL V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-34288-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 2A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 240Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA212401E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA192401E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA192401E V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA212401E V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-36260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA212401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA192401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA192401F V4 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.96GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA212401F V4 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 240W H-37260-2 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.14GHz · Усиление: 15.8dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.6A · Напряжение - тестовое: 30В · P1dB: 50Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTFA043002E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 800MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 10µA · Ток - тестовый: 1.55A · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 100Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTF140451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.5GHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 550mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
| PTF210451E V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 Серия: GOLDMOS® · Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.17GHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 500mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 45Вт | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
| © 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |