Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
ATF-55143-TR2G | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.7dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.6dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2.7V · P1dB: 14.4dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ATF-551M4-BLK | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2.7V · P1dB: 14.6dBm · Корпус: 4-MiniPak (1412) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ATF-551M4-TR1 | Avago Technologies US Inc. | IC TRANS E-PHEMT GAAS MINIPAK Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2.7V · P1dB: 14.6dBm · Корпус: 4-MiniPak (1412) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ATF-551M4-TR2 | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 17.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 2.7V · P1dB: 14.6dBm · Корпус: 4-MiniPak (1412) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ATF-58143-BLKG | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 3V 30MA SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 19dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ATF-58143-TR1G | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 3V 30MA SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 19dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
ATF-58143-TR2G | Avago Technologies US Inc. | IC PHEMT 2GHZ 3V 30MA SOT-343 Тип транзистора: pHEMT FET · Частота: 2GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 5V · Номинал тока: 100mA · Коэффициент шума: 0.5dB · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 3V · P1dB: 19dBm · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF 1005 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF 1005S E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF 1005S E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BF 1005SR E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 8V · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.6dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF 1009S E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143 Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.4dB · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF 1009SR E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel · Частота: 800MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 12В · Номинал тока: 25mA · Коэффициент шума: 1.4dB · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SOT-143R | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1100,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 14V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SC-61B | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1100R,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 14V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: SOT-143R | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1100WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 14V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: CMPAK-4 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1101WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.7dB · Ток - тестовый: 12mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1102R,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 7V 40MA SOT363R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 40mA · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1105R,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT-143R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.7dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SOT-143R | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1105WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 7V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.7dB · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1108R,215 | NXP Semiconductors | IC RF SWITCH SOT-143R Тип транзистора: RF Switch · Номинальное напряжение: 3V · Номинал тока: 10mA · Корпус: SC-61B | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1109WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 11V 30MA SOT143B Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 800MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 11В · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1.5dB · Напряжение - тестовое: 9V · Корпус: CMPAK-4 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1201WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET NCH DUAL GATE 10V SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 29dB · Номинальное напряжение: 10V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 1dB · Ток - тестовый: 15mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1202WR,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30.5dB · Номинальное напряжение: 10V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 12mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: CMPAK-4 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BF1204,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH DUAL GATE 10V SOT363 Тип транзистора: N-Channel Dual Gate · Частота: 400MHz · Усиление: 30dB · Номинальное напряжение: 10V · Номинал тока: 30mA · Коэффициент шума: 0.9dB · Ток - тестовый: 12mA · Напряжение - тестовое: 5V · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |