Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
BLA1011-200,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLA1011-2,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 2Вт · Корпус: SOT-538A | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLA1011-300,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT957A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz ~ 1.09GHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 15A · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 32V · P1dB: 300Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT957A | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLA1011S-200,112 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 1.03GHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 75V · Номинал тока: 1µA · Ток - тестовый: 150mA · Напряжение - тестовое: 36V · P1dB: 200Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLC6G10LS-160RN | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS W-CDMA SOT896 Тип транзистора: LDMOS · Частота: 922.5MHz · Усиление: 23dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 5µA · Ток - тестовый: 1.2A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 32Вт | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF1043,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT538A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 16.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: SOT-538A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF1046,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 960MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 300mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 45Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF145,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 28MHz · Усиление: 27dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Ток - тестовый: 1.3A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 8Вт · Корпус: SOT-123A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF147,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 14dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF175,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 20dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 4A · Ток - тестовый: 30mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF177,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF177C,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF177CR,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT121B Тип транзистора: N-Channel · Частота: 108MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 16A · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 150Вт · Корпус: SOT-121B | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF1820-90,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 12A · Ток - тестовый: 750mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 90Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT502A | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
BLF202,115 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT409A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 13dB · Номинальное напряжение: 40В · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 20mA · Напряжение - тестовое: 12.5V · P1dB: 2Вт · Корпус: SOT-409A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF2043F,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF2043F,135 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2.2GHz · Усиление: 11dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 2.2A · Ток - тестовый: 85mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 10Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF2045,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C Тип транзистора: LDMOS · Частота: 2GHz · Усиление: 10dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 180mA · Напряжение - тестовое: 26V · P1dB: 30Вт · Корпус: 2-LDMOST, SOT467C | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF242,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 16dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 1A · Ток - тестовый: 10mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 5Вт · Корпус: SOT-123A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF244,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 17dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 3A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 15Вт · Корпус: SOT-123A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF245,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A Тип транзистора: N-Channel · Частота: 175MHz · Усиление: 15.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 6A · Коэффициент шума: 2dB · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-123A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF245B,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT279A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 18dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 4.5A · Ток - тестовый: 25mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 30Вт · Корпус: SOT-279A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF246B,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT161A Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 175MHz · Усиление: 19dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 8A · Ток - тестовый: 50mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 60Вт · Корпус: SOT-161A | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF248,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 225MHz · Усиление: 11.5dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 25A · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BLF278,112 | NXP Semiconductors | TRANSISTOR RF DMOS SOT262A1 Тип транзистора: 2 N-Channel (Dual) · Частота: 108MHz · Усиление: 22dB · Номинальное напряжение: 125V · Номинал тока: 18A · Ток - тестовый: 100mA · Напряжение - тестовое: 50V · P1dB: 300Вт · Корпус: SOT-262A1 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |