Дискретные полупроводники · Высокочастотные диоды

Provide possible options

Photo	Name	Manufacturer	Technical parameters	Prices (rub.)	Buy
	BAP64-05W,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 100V 100MA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 240mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP64-06,215	NXP Semiconductors	DIODE PIN 175V 100MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 175V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Anode · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP64-06W,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 100V 100MA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 240mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Anode · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP64LX,315	NXP Semiconductors	DIODE SILICON PIN SOD-882T Максимальное обратное напряжение: 60V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SOD-882	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP65-02,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 30V 100MA SOD-523 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.375pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 715mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79, SOD-523	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP65-03,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.375pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP65-05,215	NXP Semiconductors	DIODE PIN 30V 100MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.425pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP65-05W,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 30V 100MA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.425pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 240mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP65LX,315	NXP Semiconductors	DIODE SILICON PIN SOD-882T Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.37pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 135mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SOD-882	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70-02,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA SOD-523 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 415mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79, SOD-523	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70-03,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70-04W,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 260mW · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70-05,215	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70AM,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA 6-UMT Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 300mW · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70AM,135	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA 6-UMT Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 300mW · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 14-1 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 140mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.5pF @ 50V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 12 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Корпус: SOT-23	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 15-1 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 140mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.5pF @ 50V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 12 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SOT-23	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 16-1 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 140mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.5pF @ 50V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 12 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Anode · Корпус: SOT-23	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 50-02L E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-1	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 50-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA SC-79 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 50-02V E6768	Infineon Technologies	DIODE SIL PIN 50V 100MA SC-79 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 61 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF DUAL 100V 140M SOT-143 Максимальное обратное напряжение: 100V · Ток- макс.: 140mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.5pF @ 50V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 12 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 63-02L E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-1	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 63-02L E6433	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-1		Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 63-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA 50V SC-79 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store

← Ctrl previous1 2 3 456 7 8 ... 32next Ctrl →

Catalog with parameters for 1,401,534 components