Дискретные полупроводники · Высокочастотные диоды

Provide possible options

Photo	Name	Manufacturer	Technical parameters	Prices (rub.)	Buy
	BA 892 E6127	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 35V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1.1pF @ 3V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz · Тип диода: Standard - Single · Корпус: SCD 80	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 64-02LRH E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 150V 100MA TSLP2-7 Максимальное обратное напряжение: 150V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-7	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAT 17-05 E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 4V 130MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 4V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.75pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 15 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SOT-23	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BA 779 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 50mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.6pF @ 10V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 7 Ohm @ 10mA, 100MHz · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SOT-23	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAT 68-07W E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY 8V 130MA SOT-343 Максимальное обратное напряжение: 8V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: Schottky - 2 Independent · Корпус: SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343		Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 89-02LRH E6433	Infineon Technologies	DIODE PIN SGL 80V 100MA TSLP-2-7 Максимальное обратное напряжение: 80V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 1V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-7	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 63-02W E6433	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SCD 80	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 90-02LRH E6327	Infineon Technologies	DIODE PIN SGL 80V 100MA TSLP-2-7 Максимальное обратное напряжение: 80V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 1V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 800 mOhm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-7	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BA 892 E6433	Infineon Technologies	DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80 Максимальное обратное напряжение: 35V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1.1pF @ 3V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz · Тип диода: Standard - Single · Корпус: SCD 80	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAT 68-04W E6327	Infineon Technologies	DIODE SCHOTTKY RF SERIES SOT-323 Максимальное обратное напряжение: 8V · Ток- макс.: 130mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1pF @ 0V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Корпус: SOT-323	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 63-02L E6433	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 50V 100MA TSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-1		Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 64-05 E6327	Infineon Technologies	DIODE RF CC 150V 100MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 150V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 1 Pair Coммon Cathode · Корпус: SOT-23	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 90-02LS E6327	Infineon Technologies	DIODE PIN SGL 80V 100MA TSSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 80V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 1V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 800 mOhm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSSLP-2	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 65-02L E6327	Infineon Technologies	DIODE RF SGL 30V 100MA TSLP-2 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.8pF @ 3V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 900 mOhm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: TSLP-2-1	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAR 88-098LRH E6327	Infineon Technologies	DIODE PIN ANTI 80V 100MA TSLP4-7 Максимальное обратное напряжение: 80V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.4pF @ 1V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 600 mOhm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Тип диода: PIN - 2 Independant · Корпус: TSLP-4-7	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	UPP9401E3	Microsemi	DIODE PIN 2.5W 50V POWERMITE1 Максимальное обратное напряжение: 50V · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1pF @ 0V, 100MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 50mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 2.5Вт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: Powermite®		Additional information Find at suppliers Buy in store
	UPP1001E3	Microsemi	DIODE PIN 2.5W 100V POWERMITE1 Максимальное обратное напряжение: 100V · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 1.6pF @ 100V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 2.5Вт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: Powermite®		Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP70-03,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.25pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP1321-02,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 60V 100MA SOD-523 Максимальное обратное напряжение: 60V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.32pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.3 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 715mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79, SOD-523	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP64-03,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 175V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 175V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP65-03,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN 30V 100MA SOD-323 Максимальное обратное напряжение: 30В · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.375pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 350 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-76, SOD-323, UMD2	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP50-04,215	NXP Semiconductors	DIODE PIN GP 50V 50MA SOT-23 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 50mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.5pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 250mW · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP64LX,315	NXP Semiconductors	DIODE SILICON PIN SOD-882T Максимальное обратное напряжение: 60V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.3pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 1.5 Ohm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 150mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SOD-882	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP55L,315	NXP Semiconductors	DIODE PIN 50V 100MA SOD-882 Максимальное обратное напряжение: 50V · Ток- макс.: 100mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.28pF @ 20V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 700 mOhm @ 100mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 500мВт · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SOD-882	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	BAP51-02,115	NXP Semiconductors	DIODE PIN GP 60V 50MA SOD-523 Максимальное обратное напряжение: 60V · Ток- макс.: 50mA · Емкость @ реверсивное напряжение, частота: 0.35pF @ 5V, 1MHz · Сопротивление @ If, F: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz · Рассеяние мощности (макс.): 715mW · Тип диода: PIN - Single · Корпус: SC-79, SOD-523	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store

← Ctrl previous1 ... 22 23 242526 27 28 ... 32next Ctrl →

Catalog with parameters for 1,401,534 components