Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
2N7002DW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30MA SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 300mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMG1016V-7 | Diodes Inc | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 870mA, 640mA · Емкость @ Vds: 60.67pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 530mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
DMN5L06VAK-7 | Diodes Inc | MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 280mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3152PT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 430mA · Емкость @ Vds: 175pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3155CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
2N7002DW | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 115MA SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 115mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTJD4001NT2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 272mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NDC7002N_SB9G007 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V · Ток @ 25°C: 510mA · Емкость @ Vds: 20pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
EM6K6T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET COMPLEX SS 20V 0.3A EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 300mA · Емкость @ Vds: 25pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 295mA · Емкость @ Vds: 26pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTJD5121NT2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTJD4158CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 250mA, 880mA · Емкость @ Vds: 33pF @ 5V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363 Серия: TrenchMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V · Ток @ 25°C: 490mA · Емкость @ Vds: 23pF @ 30V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 410mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6303N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BSD223P L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 39MA SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 390mA · Емкость @ Vds: 56pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BSD235N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363 Серия: OptiMOS™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 950mA · Емкость @ Vds: 63pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6317NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 700mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 700mA · Емкость @ Vds: 66.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
BSS138DW-7-F | Diodes Inc | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 200mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 15pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-74-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3154NT5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3155CT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3156CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 72pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3156CT1G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 72pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3156CT5G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA, 430mA · Емкость @ Vds: 72pF @ 16V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
NTZD3154NT2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 540mA · Емкость @ Vds: 150pF @ 16V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-563 | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |