Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
2N7002DW L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 30MA SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 300mA  ·  Емкость @ Vds: 20pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DMG1016V-7Diodes IncMOSFET N+P 20V 870MA SOT563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 870mA, 640mA  ·  Емкость @ Vds: 60.67pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DMN5L06VAK-7DMN5L06VAK-7Diodes IncMOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA @ 5V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 280mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3152PT1GNTZD3152PT1GON SemiconductorMOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 430mA  ·  Емкость @ Vds: 175pF @ 16V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3155CT1GNTZD3155CT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
2N7002DW2N7002DWFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 115MA SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Ток @ 25°C: 115mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTJD4001NT2GNTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 30V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.3nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 250mA  ·  Емкость @ Vds: 33pF @ 5V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 272mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NDC7002N_SB9G007NDC7002N_SB9G007Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 510mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 510mA  ·  Емкость @ Vds: 20pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
EM6K6T2REM6K6T2RRohm SemiconductorMOSFET COMPLEX SS 20V 0.3A EMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 300mA  ·  Емкость @ Vds: 25pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: EMT6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTJD5121NT1GNTJD5121NT1GON SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 60V SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 295mA  ·  Емкость @ Vds: 26pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTJD5121NT2GON SemiconductorMOSFET N-CH 60V DUAL ESD SOT363from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTJD4158CT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30V, 20V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 250mA, 880mA  ·  Емкость @ Vds: 33pF @ 5V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
PMGD780SN,115PMGD780SN,115NXP SemiconductorsMOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363
Серия: TrenchMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.05nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 490mA  ·  Емкость @ Vds: 23pF @ 30V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 410mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FDG6303NFDG6303NFairchild SemiconductorIC FET DGTL N-CHAN DUAL SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 500mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSD223P L6327Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 39MA SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 390mA  ·  Емкость @ Vds: 56pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSD235N L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
Серия: OptiMOS™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 950mA  ·  Емкость @ Vds: 63pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FDG6317NZFDG6317NZFairchild SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 700mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 700mA  ·  Емкость @ Vds: 66.5pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
BSS138DW-7-FBSS138DW-7-FDiodes IncMOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 50V  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 50pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
SM6K2T110SM6K2T110Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.4nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 200mA  ·  Емкость @ Vds: 15pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-74-6
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3154NT5GON SemiconductorMOSFET N-CHAN DUAL 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3155CT5GON SemiconductorMOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3156CT2GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 72pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3156CT1GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 72pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3156CT5GON SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA, 430mA  ·  Емкость @ Vds: 72pF @ 16V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3154NT2GON SemiconductorMOSFET N-CH DUAL 20V SOT563-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  previous12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising