Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
SI6954ADQ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | BATTERY SW N-CH 30V 3.4A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF5851 | International Rectifier | DIODE MOSFET DUAL 20V 2.7A 6TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A, 2.2A · Емкость @ Vds: 400pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF5850 | International Rectifier | DIODE MOSFET PCH-20V -2.2A 6TSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 320pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF5810 | International Rectifier | DIODE MOSFET PCH-20V -2.9A 6TSOP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 9.6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.9A · Емкость @ Vds: 650pF @ 16V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 960mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF7106 | International Rectifier | HEX/MOS N/P-CH DL 20/-20V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A, 2.5A · Емкость @ Vds: 300pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF7389TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 10V · Ток @ 25°C: 7.3A, 5.3A · Емкость @ Vds: 650pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF9952TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A, 2.3A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7379TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A, 4.3A · Емкость @ Vds: 520pF @ 25V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF8910TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS N-CH DUAL 20V 10A 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 10A · Емкость @ Vds: 960pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF9956TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 190pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7102 | International Rectifier | HEX/MOS N-CH LOG 50V 2A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6.6nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 120pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
19MT050XF | Vishay/Semiconductors | HEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 19A, 10V · Напряжение (Vdss): 500В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 160nC @ 10V · Ток @ 25°C: 31A · Емкость @ Vds: 7210pF @ 25V · Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1140W · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 16-MTP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
IRF7325TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS P-CH DUAL 12V 7.8A 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 33nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.8A · Емкость @ Vds: 2020pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7104TRPBF | International Rectifier | HEX/MOS P-CHAN DL 20V 2.3A 8SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 290pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
IRF7757TR | International Rectifier | HEXFET TSSOP-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.8A · Емкость @ Vds: 1340pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FDG6322C | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N/P-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 410mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDC6301N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDC6303N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 680mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6303N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 500mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
FDG6304P | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 410mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
GWM220-004P3-SMD | IXYS | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
GWM120-0075X1-SMD | IXYS | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V · Ток @ 25°C: 110A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
GWM220-004P3-SMD SAM | IXYS | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V · Ток @ 25°C: 180A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
GWM100-0085X1-SMD SAM | IXYS | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Напряжение (Vdss): 85V · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
GWM100-01X1-SMD SAM | IXYS | IC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V · Ток @ 25°C: 90A · Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Поверхностный монтаж | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |