Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
IRF7301TRIRF7301TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A  ·  Емкость @ Vds: 660pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7301PBFIRF7301PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A  ·  Емкость @ Vds: 660pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7301IRF7301International RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A  ·  Емкость @ Vds: 660pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7301TRPBFIRF7301TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.2A  ·  Емкость @ Vds: 660pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7530TRIRF7530TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.4A  ·  Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7530PBFIRF7530PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.4A  ·  Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTZD3154NT1GNTZD3154NT1GON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT-563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 540mA  ·  Емкость @ Vds: 150pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-563
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STS5DNF20VSTS5DNF20VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPCS8205(TE12L)TPCS8205(TE12L)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 760pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
STC5NF20VSTC5NF20VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Серия: STripFET™  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 460pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPCS8205(TE12L,Q)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 760pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
TPCS8209(TE12L,Q)ToshibaMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 5A  ·  Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DMG8601UFG-7Diodes IncMOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.1A  ·  Емкость @ Vds: 143pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 920мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-DFN
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7311IRF7311International RectifierMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.6A  ·  Емкость @ Vds: 900pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7311TRIRF7311TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.6A  ·  Емкость @ Vds: 900pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7311TRPBFIRF7311TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.6A  ·  Емкость @ Vds: 900pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7311PBFIRF7311PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 27nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.6A  ·  Емкость @ Vds: 900pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
DMN2040LTS-13Diodes IncMOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.7A  ·  Емкость @ Vds: 570pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 890mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTJD4401NT1GNTJD4401NT1GON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT-363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 630mA  ·  Емкость @ Vds: 46pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
NTQD4154ZR2ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.5A  ·  Емкость @ Vds: 1485pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.52W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
ZXMN2A04DN8TAZXMN2A04DN8TADiodes/ZetexMOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.9A  ·  Емкость @ Vds: 1880pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7331IRF7331International RectifierMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7331TRPBFIRF7331TRPBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7331PBFIRF7331PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
IRF7331TRIRF7331TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 1340pF @ 16V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising