Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
AON3806AON3806Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 6.8A 8-DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.8A  ·  Емкость @ Vds: 615pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-DFN
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AON3810AON3810Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 7A 8-DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7A  ·  Емкость @ Vds: 280pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.2W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-DFN
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AON3816AON3816Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 20V 4A 8-DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4A  ·  Емкость @ Vds: 1315pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-DFN
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AON5802AAON5802AAlpha & Omega Semiconductor InMOSFET DUAL N-CH 30V 7.2A 6-DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.2A  ·  Емкость @ Vds: 1115pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.7Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-DFN
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AOP605AOP605Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 7.5A, 6.6A  ·  Емкость @ Vds: 820pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AOP607AOP607Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A, 3.4A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 30V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AOP609AOP609Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.7A, 3.5A  ·  Емкость @ Vds: 570pF @ 30V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5Вт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
AOP610AOP610Alpha & Omega Semiconductor InMOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 7.7A, 6.2A  ·  Емкость @ Vds: 630pF @ 15V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.3W  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 8-DIP
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60AM18SCGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD SER/SIC DIO SP6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1036nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 143A  ·  Емкость @ Vds: 28000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 833W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60AM24T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 300nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 95A  ·  Емкость @ Vds: 14400pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 462W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60AM35SCTGAPTC60AM35SCTGMicrosemi-PPGPOWER MODULE MOSFET 600V 72A SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 36A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60AM35T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60AM45T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 49A  ·  Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60AM70T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD PHASE LEG SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Half Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60DDAM35T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60DDAM70T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD BOOST CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60DSKM35T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60DSKM70T3GMicrosemi-PPGMOSFET MOD DUAL BUCK CHOPPER SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60HM35T3GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60HM45T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 150nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 49A  ·  Емкость @ Vds: 7200pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60HM70SCTGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60HM70T1GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD BULL BRIDGE SP1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP1 Module
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60HM70T3GMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 259nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 39A  ·  Емкость @ Vds: 7000pF @ 25V  ·  Полярность: 4 N-Channel (H-Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60TAM35PGMicrosemi-PPGMOSFET PWR MOD 3PHASE LEG SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTC60TDUM35PGMicrosemi-PPGMOSFET MOD TRIPLE DUAL SRC SP6-P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 600В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 518nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 72A  ·  Емкость @ Vds: 14000pF @ 25V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Leg)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 416W  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP6
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising