Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Provide possible options

Photo	Name	Manufacturer	Technical parameters	Prices (rub.)	Buy
	J111	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111_D26Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111_D27Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111_D74Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111_D75Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111RL1G	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111RLRAG	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J111RLRPG	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00 to 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112,126	NXP Semiconductors	JFET N-CH 40V 20MA SOT54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112_D11Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112_D26Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112_D27Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112_D74Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112G	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112RL1	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112RL1G	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112RLRA	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Additional information Find at suppliers Buy in store
	J112RLRAG	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J113	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J113,126	NXP Semiconductors	JFET N-CH 40V 2MA SOT54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 400мВт	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J113_D26Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J113_D27Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J113_D74Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store
	J113_D75Z	Fairchild Semiconductor	IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW	from 0,00	Additional information Find at suppliers Buy in store

← Ctrl previous1 ... 3 4 567 8 9 ... 13next Ctrl →

Catalog with parameters for 1,401,534 components