Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
PN5434_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5432 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHAN 25V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5432_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5434_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5434 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHAN 25V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75_J35Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMBFJ201 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CH 40V 50MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PMBFJ109,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN 25V SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 6V @ 1µA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 12 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMBF4393LT3G | ON Semiconductor | TRANS JFET SW N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS74 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75_D26Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75_D75Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P1086_D74Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 75 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P1086 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 75 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P1087_J18Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P1087 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P108718 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P1086_D75Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 10V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 75 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
P1087_D74Z | Fairchild Semiconductor | JFET P-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 45pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 150 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
J175 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA · Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMBFJ112 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH ANALOG N-CH SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
J176 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH P-CHAN 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMBFJ202 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CHAN 40V 50MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 900µA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
MMBFJ203 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CHAN 40V 50MA SOT-23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |