Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 8 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 85 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA  ·  Емкость @ Vds: 14pF @ 20V  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)  ·  Мощность макcимальная: 100mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 5 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 10nA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 1nA  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW