Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Short Body)  ·  Мощность макcимальная: 100mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA  ·  Емкость @ Vds: 14pF @ 20V  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 225mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA  ·  Емкость @ Vds: 16pF @ 20V  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 7pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V  ·  Ток нагрузки (макс): 1mA  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-3, SOT-323-3  ·  Мощность макcимальная: 100mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V  ·  Полярность: P-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 10nA  ·  Сопротивление - RDS (On): 125 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA  ·  Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 625mW

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.2V @ 1nA  ·  Емкость @ Vds: 16pF @ 15V  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 350mW