Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
PN4392_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN4392_D75Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN4393_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN4393_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN4393_D74Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN4393_D75Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 30V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 1nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN4861 | Fairchild Semiconductor | MOSFET RF N-CHAN 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5432 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHAN 25V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5432_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 5 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5434 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHAN 25V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5434_D26Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
PN5434_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 25V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 3nA · Емкость @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 10 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TF252TH-5-TL-H | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N-CH 20V 1MA VTFP Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.1pF @ 2V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Мощность макcимальная: 100mW | from 0,00 to 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS74 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS74_J35Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75 | Fairchild Semiconductor | JFET N-CHANNEL TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75_D26Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75_D75Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
TIS75_J35Z | Fairchild Semiconductor | JFET GP N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 4nA · Емкость @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
U1897 | Fairchild Semiconductor | JFET SW N-CH 40V 30MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
U1898 | Fairchild Semiconductor | JFET SW N-CH 40V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store | |
U1898_D27Z | Fairchild Semiconductor | TRANS SW N-CH 40V 50MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1nA · Емкость @ Vds: 16pF @ 20V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 625mW | from 0,00 | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |