Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные
Производитель











Серия











Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)
































Vce(on) (Max) @ Vge, Ic






















































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)











































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































































































































Тип входа


Тип монтажа


Корпус





































































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
STGW35NB60SSTGW35NB60SSTMicroelectronicsIGBT N-CH 35A 600V TO-247
Серия: PowerMESH™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 70A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-247-3
from 0,00
to 0,00		Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT60N322(Q)ToshibaIGBT 1000V 57A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 57A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT60N321(Q)ToshibaIGBT 1000V 60A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1000V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT10J312(Q)ToshibaIGBT 600V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 60Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: 2-10S1C
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT5G131(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 5A 8-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 7V @ 3V, 130A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT10Q101(Q)ToshibaIGBT 1200V 10A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT8G134(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 150A 8-TSSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 2.5V, 150A  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT10Q301(Q)ToshibaIGBT DUAL 1200V 10A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT8G133(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 150A 8-TSSOP
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT80J101B(Q)ToshibaIGBT 600V 80A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 80A  ·  Ток коллектора (макс): 80A  ·  Мощность макcимальная: 3.5W  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT10J303(Q)ToshibaIGBT 600V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 30Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT50J121(Q)ToshibaIGBT 600V 50A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Мощность макcимальная: 240Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT15J301(Q)ToshibaIGBT DUAL 600V 10A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 35Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT20J321(Q)ToshibaIGBT DUAL 600V 20A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 20A  ·  Мощность макcимальная: 45Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT10G131(TE12L,Q)ToshibaIGBT 400V 200A 8-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 400В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V @ 200A  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT50J102(Q)ToshibaIGBT 600V 50A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT30J324(Q)ToshibaIGBT DUAL 600V 30A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT15J311(SM,Q)ToshibaIGBT 600V 15A TO-220SM
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 70Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT60M323(Q)ToshibaIGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT15Q102(Q)ToshibaIGBT 1200V 15A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 15A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT25Q102(Q)ToshibaIGBT 1200V 25A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT25Q301(Q)ToshibaIGBT DUAL 1200V 25A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Мощность макcимальная: 200Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT10J321(Q)ToshibaIGBT 600V 10A TO-220
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 10A  ·  Мощность макcимальная: 29Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT30J121(Q)ToshibaIGBT 600V 30A TO-3PN
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GT60M303(Q)ToshibaIGBT 900V DUAL 60A TO-3P LH
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 900V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 60A  ·  Ток коллектора (макс): 60A  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Тип входа: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 7071727374757677  Ctrl →
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ		 Catalog with parameters for 1,401,534 components Register • Advertising