Log in Register |
Photo | Name | Manufacturer | Technical parameters | Prices (rub.) | Buy |
FMS6G20US60S | Fairchild Semiconductor | IGBT 600V 20A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.277nF @ 30V · Мощность макcимальная: 89W · Вход: Single Phase Bridge Rectifier · Конфигурация: Three Phase Inverter · NTC термистор: Да · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 25PM-AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FMS7G20US60 | Fairchild Semiconductor | IGBT 600V 20A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A · Ток коллектора (макс): 20A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 1.277nF @ 30V · Мощность макcимальная: 89W · Вход: Three Phase Bridge Rectifier · Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake · NTC термистор: Да · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 25PM-AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
APTGF90A60TG | Microsemi-PPG | IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A · Ток коллектора (макс): 110A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4.3nF @ 25V · Мощность макcимальная: 416W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Да · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FMG2G400LS60 | Fairchild Semiconductor | IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 400A · Ток коллектора (макс): 400A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Мощность макcимальная: 1136W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 7PM-IA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
GA125TS120U | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 1200V 125A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 125A · Ток коллектора (макс): 125A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 22.258nF @ 30V · Мощность макcимальная: 625W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-PAK (3 + 4) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
25MT060WF | Vishay/Semiconductors | IGBT WARP SPEED 600V 50A MTP Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 25A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 4nF @ 30V · Мощность макcимальная: 900W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Full Bridge Inverter · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 16-MTP | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
VWI6-12P1 | IXYS | MODULE IGBT 6PACK 1200V ECO-PAC2 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.6V @ 15V, 4A · Ток коллектора (макс): 6A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100µA · Емкость @ Vce: 0.205nF @ 25V · Мощность макcимальная: 40Вт · Вход: Стандарт · Конфигурация: Three Phase Inverter · NTC термистор: Да · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ECO-PAC2 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
MIO1200-33E11 | IXYS | IGBT MODULE SGL 1200A E11 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 3300V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 1200A · Ток коллектора (макс): 1200A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 120mA · Вход: Стандарт · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: E11 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
GA250TS60U | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 600V 250A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 250A · Ток коллектора (макс): 250A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 23.4nF @ 30V · Мощность макcимальная: 780W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-Pak | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
GA200MD120U | Vishay/Semiconductors | IGBT DUAL 1200V 200A IN-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Ток коллектора (макс): 200A · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-PAK Dual (3 + 2) | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
APTGT150A170D1G | Microsemi-PPG | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A · Ток коллектора (макс): 280A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA · Емкость @ Vce: 13nF @ 25V · Мощность макcимальная: 780W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
GA50TS120U | Vishay/Semiconductors | IGBT FAST 1200V 50A INT-A-PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A · Ток коллектора (макс): 50A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA · Емкость @ Vce: 8.933nF @ 30V · Мощность макcимальная: 280W · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: INT-A-Pak | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
FMS7G10US60S | Fairchild Semiconductor | IGBT 600V 10A 25PM-AA Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A · Ток коллектора (макс): 10A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA · Емкость @ Vce: 0.71nF @ 30V · Мощность макcимальная: 66Вт · Вход: Single Phase Bridge Rectifier · Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake · NTC термистор: Да · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: 25PM-AA | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
VWI3X20-06P1 | IXYS | MODULE IGBT 3X20A 600V ECO-PAC1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Ток коллектора (макс): 20A · Вход: Стандарт · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: ECO-PAC1 | Additional information Find at suppliers Buy in store | ||
APTGT30A170D1G | Microsemi-PPG | IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A · Ток коллектора (макс): 45A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 3mA · Емкость @ Vce: 2.5nF @ 25V · Мощность макcимальная: 210Вт · Вход: Стандарт · Конфигурация: Half Bridge · NTC термистор: Нет · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: Модуль | Additional information Find at suppliers Buy in store |
© 2006 — 2024 ChipFind Ltd. Contact phone, e-mail, ICQ |
Catalog with parameters for 1,401,534 components | Register • Advertising |