Log in    Register
ChipFind Component Selection Catalog
For example: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT сборки

Производитель





Серия


Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)









Vce(on) (Max) @ Vge, Ic








































































































































































































































Ток коллектора (макс)









































































































Ток отсечки коллетора (vfrc)







































Емкость @ Vce
























































































































































































































Мощность макcимальная





























































































































































Вход


Конфигурация





NTC термистор

Тип монтажа

Корпус
































 
PhotoNameManufacturerTechnical parametersPrices (rub.)Buy
MUBW20-06A7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A  ·  Ток коллектора (макс): 35A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA  ·  Емкость @ Vce: 1.1nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 125Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW35-12E7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 52A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Емкость @ Vce: 2nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 225W  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW25-12T7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 25A  ·  Ток коллектора (макс): 45A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2.7mA  ·  Емкость @ Vce: 1.8nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 170Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW50-06A7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 75A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA  ·  Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW35-12A7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA  ·  Емкость @ Vce: 1.65nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 225W  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW15-12T7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2.7mA  ·  Емкость @ Vce: 1.1nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW15-06A7IXYSMODULE IGBT CBI E2
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A  ·  Ток коллектора (макс): 25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 600µA  ·  Емкость @ Vce: 0.8nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 100Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E2
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW75-06A8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA  ·  Емкость @ Vce: 4.2nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 320W  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW75-12T8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A  ·  Ток коллектора (макс): 110A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 4mA  ·  Емкость @ Vce: 5.35nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 355W  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW50-06A8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 75A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA  ·  Емкость @ Vce: 2.8nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 250Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW35-12A8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.1mA  ·  Емкость @ Vce: 1.65nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 225W  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW75-17T8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A  ·  Ток коллектора (макс): 113A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA  ·  Емкость @ Vce: 6.6nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 450Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW50-12A8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 85A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 3.7mA  ·  Емкость @ Vce: 3.3nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 350Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW50-12T8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 80A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 2.7mA  ·  Емкость @ Vce: 3.5nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 270Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW100-06A8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 125A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1.4mA  ·  Емкость @ Vce: 4.3nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 410W  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW50-12E8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 90A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 800µA  ·  Емкость @ Vce: 3.8nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 350Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
MUBW50-17T8IXYSMODULE IGBT CBI E3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1700V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 74A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 400µA  ·  Емкость @ Vce: 4.4nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 290Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: E3
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
GA200HS60SVishay/SemiconductorsMODULE IGBT INT-A-PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 200A  ·  Ток коллектора (макс): 470A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1mA  ·  Емкость @ Vce: 32.5nF @ 30V  ·  Мощность макcимальная: 830W  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Half Bridge  ·  NTC термистор: Нет  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: INT-A-Pak
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
FP7G100US60FP7G100US60Fairchild SemiconductorMODULE SPM 600V 100A EPM7
Серия: Power-SPM™  ·  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Емкость @ Vce: 6.085nF @ 30V  ·  Мощность макcимальная: 400Вт  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Half Bridge  ·  NTC термистор: Нет  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: EPM7
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTGL475A120D3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE 4PHASE LEG D3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A  ·  Ток коллектора (макс): 610A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA  ·  Емкость @ Vce: 24.6nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 2080W  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Half Bridge  ·  NTC термистор: Нет  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Модуль
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTGL325A120D3GMicrosemi-PPGMOSFET MODULE DUAL BUCK CHOP D3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A  ·  Ток коллектора (макс): 420A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 5mA  ·  Емкость @ Vce: 18.6nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 1500W  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Half Bridge  ·  NTC термистор: Нет  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: Модуль
from 0,00Additional information
Find at suppliers
Buy in store
EMP15P12DVishay/SemiconductorsPOWER MODULE 3PHASE 15A 1200V
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.24V @ 15V, 30A  ·  Ток коллектора (макс): 30A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 125µA  ·  Емкость @ Vce: 1.323nF @ 30V  ·  Мощность макcимальная: 140Вт  ·  Вход: Three Phase Bridge Rectifier  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter with Brake  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ECO-PAC2
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
EMP25P12BVishay/SemiconductorsPOWER MODULE 3PHASE 25A 1200V
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.65V @ 15V, 50A  ·  Ток коллектора (макс): 50A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 250µA  ·  Емкость @ Vce: 2.2nF @ 30V  ·  Мощность макcимальная: 192W  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ECO-PAC2
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
EMP50P12BVishay/SemiconductorsPOWER MODULE 3PHASE 50A 1200V
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.78V @ 15V, 100A  ·  Ток коллектора (макс): 100A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500µA  ·  Емкость @ Vce: 6.052nF @ 30V  ·  Мощность макcимальная: 354W  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Three Phase Inverter  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: ECO-PAC2
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
APTGF150A120TGAPTGF150A120TGMicrosemi-PPGPOWER MODULE IGBT 1200V 150A SP4
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A  ·  Ток коллектора (макс): 200A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 350µA  ·  Емкость @ Vce: 10.2nF @ 25V  ·  Мощность макcимальная: 961W  ·  Вход: Стандарт  ·  Конфигурация: Half Bridge  ·  NTC термистор: Да  ·  Тип монтажа: Chassis Mount  ·  Корпус: SP4 Module
from 0,00
to 0,00
Additional information
Find at suppliers
Buy in store
← Ctrl  1 ... 1819202122232425  Ctrl →

© 2006 — 2024 ChipFind Ltd.
Contact phone, e-mail, ICQ
Catalog with parameters for 1,401,534 components RegisterAdvertising