Микросхемы КР159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Предназначены для использования в ...

КР159НТ1Б (90-97г), Структура 2 х npn, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 20, Макс. напр. к-э при заданном токе ...

КР159НТ1Б (90-97г), Матрица из двух n-p-n транзисторов ; на сумму 1.50 BYN ; Структура, 2 х npn ; Гарантийный срок. 6 месяцев ; Техническая документация. kr159nt1v.

Микросхема КР159НТ1Б - Представляет собой сборку из двух биполярных п-р-п транзисторов, выполненна по планарной технологии с изоляцией элементов ...

Поставки Микросхема КР159НТ1Б (90-97г), Матрица из двух n-p-n транзисторов оптом всех типов и в любом количестве ᐅ Интернет-магазин электронных компонентов ...

КР159НТ1Б DIP8 матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n ...

Микросхемы КР159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 ...

Микросхема КР159НТ1Б DIP8 ... В наличии: 50 шт. ... 29 руб. 0 руб. -

Микросхемы КР159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 ...