Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 486
Q62703-Q1094
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Spectral match with silicon photodetectors
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control for steady and varying
intensity
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 486
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06626
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29.5
27.5
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Anode
Chip position
GEX06626
Approx. weight 0.5 g
SFH 486
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Grenzwerte (
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 100
°
C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchla
strom
Forward current
I
F
100
mA
Sto
strom,
t
p
= 10
µ
s,
D
= 0
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
200
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
375
K/W
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
rel
Spectral bandwidth at 50 % of
I
rel
I
F
= 100 mA
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
±
11
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.16
mm
2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.4
×
0.4
mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
H
5.1 ... 5.7
mm
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 486
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.001 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.001 sr
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
t
r
,
t
f
0.6/0.5
µ
s
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
C
o
25
pF
Durchla
spannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
V
F
V
F
1.50
(
1.8)
3.00
(
3.8)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
I
R
0.01
(
1
)
µ
A
Gesamtstrahlungsflu
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
e
25
mW
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
e
,
I
F
= 100 mA
TC
I
0.5
%/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 100 mA
TC
V
2
mV/K
Temperaturkoeffizient von
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
,
I
F
= 100 mA
TC
0.25
nm/K
Bezeichnung
Description
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
e min
I
e max
40
typ. 60
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µ
s
I
e typ.
600
mW/sr
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 486
Semiconductor Group
4
1997-11-01
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
0
750
rel
OHR00877
800
850
900
950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0
1
2
3
4
5
6
V
8
A
F
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
),
T
A
= 25
o
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
I
e
100 mA
=
f
(
I
F
)
10
OHR00878
e
F
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
10
1
10
2
10
4
mA
e
(100mA)
3
10
10
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
s
=
D
F
T
DC
0.005
=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
l
),
T
A
= 25
o
C
T
OHR00880
0
F
0
20
40
60
80
100
°C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
0
0
5
10
15
20
25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
OHR01733
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
40
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
PDF 
ZIP