Semiconductor Group
223
BPX 43
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPX 43
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPX43
Q62702-P16
BPX 43-2
Q62702-P16-S2
BPX 43-3
Q62702-P16-S3
BPX 43-4
Q62702-P16-S4
BPX 43-5
Q 62702-P16-S5
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
q
Hohe Linearität
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschlu
, geeignet bis 125
°
C
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
"Messen/Steuern/Regeln"
Features
q
Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
q
High linearity
q
Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125
°
C
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Ma
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
fmof6019
10.95
BPX 43
Semiconductor Group
224
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
55 ... + 125
°
C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
5 s
Dip soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
5 s
T
S
260
°
C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
3 s
Iron soldering temperature
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
3 s
T
S
300
°
C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
V
CE
50
V
Kollektorstrom
Collector current
I
C
50
mA
Kollektorspitzenstrom,
<
10
µ
s
Collector surge current
I
CS
200
mA
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
V
EB
7
V
Verlustleistung,
T
A
= 25
°
C
Total power dissipation
P
tot
220
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Semiconductor Group
225
BPX 43
Kennwerte (
T
A
= 25
°
C,
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
S max
880
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
450 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.675
mm
2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L
×
B
L
×
W
1
×
1
mm
×
mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H
2.4 ... 3.0
mm
Halbwinkel
Half angle
±
15
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
I
PCB
I
PCB
11
35
µ
A
µ
A
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
C
CE
C
CB
C
EB
23
39
47
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 25 V,
E
= 0
I
CEO
20 (
300)
nA
BPX 43
Semiconductor Group
226
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1)
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom,
=
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCE
0.8 ... 1.6
3.8
1.25 ... 2.5
6.0
2.0 ... 4.0
9.5
3.2
15.0
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
t
r
,
t
f
9
12
15
18
µ
s
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
V
CEsat
200
220
240
260
mV
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
I
PCB
110
170
270
430
Semiconductor Group
227
BPX 43
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(
)
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Photocurrent
I
PCE
/
I
PCE25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Output characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
/
I
CEO25
o
=
f
(
T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Dark current
I
CEO
=
f
(
V
CE
),
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(
V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
PDF 
ZIP