Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1901N 70...80TOH
.
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller
Release 4
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N
1
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz
Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstände durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40°C t
vj min
= 0°C
7000 7200
7500 7700
8000 8200
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
4400 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85°C, f = 50Hz
t
C
= 60°C, f = 50Hz
I
TAVM
2100
2800
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10ms, V
R
= 0
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms, V
R
= 0
I
TSM
45
40
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
10,1·10
6
8,0·10
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/µs
(di/dt)
cr
300 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
(dv/dt)
cr
2000 V/µs
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Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 4kA
v
T
typ
2,8
Max
3,0
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ
1,2
0,4
Max
1,24
0,44
V
m
Durchlaßrechenkennlinien
500 A
i
T
5000 A
On - state characteristics for calculation
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ
0,616
0,000219
0,0342
0,0161
max
-0,0864
0,000343
0,2021
0,000614
Zündstrom
gate trigger current
t
vj
= 25°C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25°C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
VDRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25°C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/µs, t
g
= 20µs
I
L
3 A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
500 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25°C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/µs
t
gd
2,5 µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/µs, -di
T
/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ
550 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2,5 kA, di/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
15 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2,5 kA, di/dt = 10 A/µs
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
I
RM
350 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0054
0,005
0,0092
0,011
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCK
0,0015
0,003
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
101TN80
Anpreßkraft
clampig force
F
63...91 KN
Gewicht
weight
G
typ
3200 g
Kriechstrecke
creepage distance
49 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Maßbild / Outline
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Durchlaßkennlinie i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
t
vj
= 125
°
°
°
° C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
0
1
2
3
4
V
T
[V]
I
T
(A)
typ max
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Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
v
G
= f (i
G
), V
D
= 6V
Parameter a b c
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration t
g
(ms) 10 1 0,5
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation
P
GM
(W)
20
40
60
3 0
2 0
1 0
5
2
1
0 , 5
0 , 2
1 0
1 0 0 0 0
5 0 0 0
2 0 0 0
5 0
2 0
1 0 0
2 0 0
5 0 0
1 0 0 0
i
G
[ m A ]
+ 1 2 5 ° C
+ 2 5 ° C
- 4 0 ° C
a
b
c
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f (t)
0
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,008
0,009
0,01
0,011
0,012
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z
(t
h
)
J
C
/ [K
/W
]
d
k
a
(
)
Z
R
e
thJC
thn
t
n
n
n
=
-
-
=
1
1
/
m ax
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W ]
[s]
r [K/W ]
[s]
r [K/W ]
[s]
1 0,00158
1,97
0,00578
7,2
0,00758
9,4
2 0,00216
0,25
0,00216
0,25
0,00216
0,25
3 0,00042
0,09
0,00042
0,09
0,00042
0,09
4 0,00055
0,0195
0,00055
0,0195
0,00055
0,0195
5 0,00029
0,0055
0,00029
0,0055
0,00029
0,0055
0,005
-
0,0092
-
0,011
-
180° sin add. 0,0004 °C/W
120° r add. 0,0006 °C/W
60° r add. 0,0009 °C/W
30° r add. 0,0011 °C/W
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Sperrzögerungsladung Q
r
= f ( - di/dt )
recovered charge
t
vj
= 125
°C, I
TM
= 2500A,v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
9
8
7
6
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
5
4
3
2
3 0
2 0
1 0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
- d i / d t [ A / µ s ]
Q
rr
[m
As]
m a x
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Rückstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhängigkeit / typical dependence)
I
RM
= f (di/dt)
t
vj
= 125
°C, I
TM
= 2500A, v
R
= 0,5
V
RRM
, v
RM
= 0,8
V
RRM
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
d i / d t [A / µs]
I
RM
[A
]
PDF 
ZIP