European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK Febr. 1997
Marketing Information
TT 111 F
plug
A 2,8 x 0,8
max. 12
screwing depth
M6x15 Z4-1
fillister head screw
III
II
I
K1
K2
25
25
15
80
94
5
13,3
14
G2
G1
AK K
A
K1 G1
K2 G2
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
200 400 600 800
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DSM
= V
DRM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= +25°C...t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
I
TRMSM
200
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
t
c
= 85°C
I
TAVM
111
A
t
c
= 76°C
128
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
I
TSM
3000
A
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
2600
A
Grenzlastintegral
i
2
dt-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
i
2
dt
45000
A
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
33800
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
v
D
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
(di/dt)
cr
160
A/µs
I
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
t
vj
= t
vj max
, V
D
= 0,67 V
DRM
(dv/dt)
cr
1) 2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50 50
V/µs
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500 500
V/µs
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500 50
V/µs
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000 500
V/µs
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 350 A
v
T
max. 1,95
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
1,2
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
1,4
m
Zündstrom
gate trigger current
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
I
GT
max. 150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
V
GT
max. 2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25
V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 10
I
H
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 20
I
L
max. 1
A
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/µs, t
g
= 10 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
t
vj
=25°C, I
GM
=0,6 A,di
G
/dt =0,6 A/µs
t
gd
max. 1,4
µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
t
q
C: max. 12
µs
D: max. 15
µs
D: max. 20
µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
V
ISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction
=180° el,sinus: pro Modul/per module R
thJC
max. 0,115 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,23 °C/W
DC: pro Modul/per module
max. 0,107 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,214 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul/per module
R
thCK
max. 0,03 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,06 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente für mechanische
Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 430
g
Kriechstrecke
creepage distance
14
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 . 9,81
m/s²
Maßbild
outline
1
1)
Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei V
RRM
800 V und DD 121 S bei V
RRM
1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at V
RRM
800 V and DD 121 S at V
RRM
1000 V
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 111 F
Bild / Fig. 1, 2, 3
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Halbschwin-
gungsdauer für einen Zweig bei: sinusförmigem Stromverlauf,
der angegebenen Gehäusetemperatur t
C
,
Vorwärts-Sperrspannung V
DM
0,67 V
DRM
;
Freiwerdezeit t
q
gemäß 5. Kennbuchstaben,
Spannungssteilheit dv
D
/dt gemäß 6. Kennbuchstaben.
Ausschaltverlustleistung:
- Berücksichtigt für den Betrieb bei f
0
= 50 Hz...0,4 kHz für dv
R
/dt
600 V/µs
und Anstieg auf v
RM
0,67 V
RRM;
- nicht Berücksichtigt für Betrieb bei f
0
1 kHz. Diese Kurven gelten
jedoch für den Betrieb mit antiparalleler Diode oder dv
R
/dt
100 V/µs und
Anstieg auf V
RM
50 V.
Maximum allowable current load versus halfwave duration per arm at:
sinusoidal current waveform, given case temperature t
C,
forward off-state voltage v
DM
0,67 V
DRM
,
circuit commutated turn-off time t
q
according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv
D
/dt according to 6th code letter.
Turn-of losses:
- taken into account for operation at f
0
= 50 Hz to 0.4 kHz for dv
R
/dt
600V/µs
and rise up to v
RM
0.67 V
RRM
;
- not taken into account for operation at f
0
1 kHz. But the curves are valid for
operation with inverse paralleled diode or dv
R
/dt
100 V/µs and rise up to
v
RM
50 V.
RC-Glied/RC network:
R
[
]
0,02 . v
DM
[
V
]
C
0,15µF
Parameter: Wiederholfrequenz f
0
[kHz]
Repetition rate f
0
[kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
Parameter: f
0
[
kHz
]
t
C
= 60°C
[A]
T M
i
6
3
2
1
0,4
0,25
0,1 50
H
z
10
TT 111 F3/1
40
100
200
400
600
1000
3000
60
4000
80
800
Parameter: f
0
[
kHz
]
t
C
= 80°C
[A]
T M
i
6
3
2
1
0,4
0,25
0,1 50
H
z
10
TT 111 F4/2
40
100
200
400
600
1000
3000
60
4000
80
800
40 6 0
100
200
400 600
1
2
4
6
1 0
[A]
T M
i
µs
t
p
ms
Parameter: f
0
[
kHz
]
t
C
= 100°C
6
3
2
1
0,4
0,25
0,1 50
H
z
10
TT 111 F5/3
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
10
10
3
2
R
C
t
i
i
TM
t
p
T=1_f
0
5
6
8
10
20
40
60
80 100
30
40
50
60
80
100
150
200
300
i
TM
[
A
]
+ di
T
/dt
[
A/µs
]
-
tc =100°C
3
2
3
1
2
0,4
6
50...1 kHz
50 Hz
f
0
[
kHz
]
6
10
10
TT 111 F14/6
Bild / Fig. 4, 5, 6
Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit für ei
Zweig bei: trapezförmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehäusetemperatur
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
0,67 V
DRM
,
Freiwerdezeit t
q
gemäß 5. Kennbuchstabe,
Spannungssteiheit dv/dt gemäß 6. Kennbuchstabe.
Ausschaltverlustleistung berücksichtigt; die Kurven gelten für:
_______ Betrieb mit antiparalleler Diode oder
dv
R
/dt
100 V/µs bei Anstieg auf v
RM
50 V.
_ _ _ _ _ dv
R
/dt
500 V/µs und Anstieg auf v
RM
= 0,67 V
RRM
.
Maximum allowable current load versus of rise of current per arm at:
trapezoidal current waveform, given case temperature t
C
,
forward off-state voltage v
DM
0.67 V
DRM
,
circuit commutated turn-off t
q
according to 5th code letter,
rate of rise of voltage dv/dt according to 6th code letter.
Turn-off losses taken into account; the curves apply for:
_______ Operation with inverse paralleled diod or
dv
R
/dt
100 V/µs rising up to v
RM
50 V.
_ _ _ _ _ dv
R
/dt
500 V/µs rising up to v
RM
= 0.67 V
RRM
.
RC-Glied/RC network:
R
[
]
0,02 . v
DM
[
V
]
C
0,22µF
Parameter: Wiederholfrequenz f
0
[kHz]
Repetition rate f
0
[kHz]
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
30
40
50
60
80
100
150
200
400
i
TM
[
A
]
tc = 60°C
300
6
3
3
1
2
6
50...2 kHz
f
0
[
kHz
]
10
10
30
40
50
60
80
100
150
200
300
i
TM
[
A
]
tc = 80°C
3
2
3
1
2
6
50...1 kHz
f
0
[
kHz
]
10
50...400 Hz
6
10
TT 111 F13/5
TT 111 F12/4
R
C
t
i
i
TM
T=1_f
0
+di/dt
-di
T
/dt
T
_
2
TT 111 F
40 60
100
200
400 600
1
2
4
6
1 0
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
[A]
T M
i
µs
ms
± di
T
/dt = 100 A/µs
t
w
6
4
2
1
Ws
600 mWs
400
200
100
60
40
20
10
6 mWs
W
tot
= 10 Ws
TT 111 F8/9
Bild / Fig. 7, 8, 9
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezförmigen
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
T
/dt,
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
0,67 V
DRM
,
Rückwärts-Sperrspannung v
RM
50V,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
100 V/µs.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
RM
50 V,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
100 V/µs.
t
w
t
i
TM
i
T
di
T
/dt
-di
T
/dt
R
C
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
RC-Glied/RC network:
R
[
]
0,02 . v
DM
[
V
]
C
0,22µF
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
[A]
T M
i
± di
T
/dt = 50 A/µs
6
4
2
1
Ws
600 mWs
400
200
100
60
40
20
10
6 mWs
W
tot
= 10 Ws
TT 111 F7/8
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
[A]
T M
i
± di
T
/dt = 25 A/µs
6
4
2
1
Ws
600 mWs
400
200
100
60
40
20
10
6 mWs
W
tot
= 10 Ws
TT 111 F6/7
10
3
10
2
10
3
10
2
10
3
10
2
40 6 0
100
200
400 600
1
2
4
6
10
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
[A]
T M
i
µs
t
w
m s
± di
T
/dt = 100 A/µs
Wtot
[
Ws
]
0,05
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
0,15
0,08
TT 111 F11/12
Bild / Fig. 10, 11, 12
Diagramme zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen trapezförmigen
Durchlaß-Strompuls, für einen Zweig bei:
der angegebenen Stromsteilheit di
T
/dt,
Vorwärts-Sperrspannung v
DM
0,67 V
DRM
,
Rückwärts-Sperrspannung v
RM
0,67V
RRM
,
Spannungssteilheit dv
R
/dt
500 V/µs.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a
trapezoidal current pulse for one arm at:
given rate of rise of on-state current di
T
/dt,
forward off-state voltage v
DM
0,67 V
DRM
,
maximum reverse voltage v
RM
0.67 V
RRM
,
rate of rise of off-state voltage dv
R
/dt
500 V/µs.
t
w
t
i
TM
i
T
di
T
/dt
-di
T
/dt
R
C
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
RC-Glied/RC network:
R
[
]
0,02 . v
DM
[
V
]
C
0,22µF
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
[A]
T M
i
± di
T
/dt = 25 A/µs
Wtot
[
Ws
]
0,02
0,025
0,03
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
0,04
TT 111 F9/10
0,06
3
4
6
8
2
4
6
8
2
3
[A]
T M
i
± di
T
/dt = 25 A/µs
Wtot
[
Ws
]
0,03
0,025
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
0,04
TT 111 F10/11
0,06
1 0
3
1 0
2
1 0
3
1 0
2
1 0
3
1 0
2
TT 111 F
1ms
600
400
200
100
60
40
20
10
6
4
2
1
10000
6000
2000
1000
600
400
200
100
60
40
20
10
[
A
]
i
T
t [µs]
0,02
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
20
40
P
TT
+ P
T
[
kW
]
Bild / Fig. 13
Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlust-
leistung (P
TT
+ P
T
) je Zweig.
Diagram for the determination of the sum of the turn-on and on-state power
loss per arm (P
TT
+ P
T
).
TT 111 F1/13
40 6 0
100
200
400 600
1
2
4
6
10
[A]
T M
i
µs
t
p
m s
30
40
100
200
400
600
1000
3000
W
tot
[
Ws
]
60
2
mWs
3
6
mWs
0,01
0,02
0,04
0,06
0,1
0,2
0,4
0,6
1
2
4
6
10
TT 111 F2/14
4
Bild / Fig. 14
Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie W
tot
für einen sinusförmigen
Durchlaß-Strompuls für einen Zweig.
Diagram for the determination of the total energy W
tot
for a sinusoidal
on-state current pulse for one arm.
RC-Glied/RC network:
R
[
]
0,02 . v
DM
[
V
]
C
0,15µF
Steuergenerator/Pulse generator:
i
G
= 0,6 A, t
a
= 1µs
Lastkreis/load circuit:
v
DM
0,67 V
DRM
v
RM
50 V
dv
R
/dt
100 V/µs
R
C
t
p
t
i
TM
i
T
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
i
G
30
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[
V
]
v
G
0,8
8
a
b
c
T 72 F15 / T102 F/15
Bild / Fig. 15
Zündbereich und Spitzensteuerleistung bei v
D
= 6V.
Gate characteristic and peak power dissipation at v
D
= 6V.
Parameter: a b c
__________________________________________________________
Steuerimpulsdauer/Pulse duration t
g
[ms] 10 1 0,5
__________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 20 40 60
__________________________________________________________
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
i
G
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[µs]
t
gd
a
b
T 72 F16 / T 102 F/16
Bild / Fig. 16
Zündverzug/Gate controlled delay time t
gd
,
DIN 41787, t
a
= 1 µs, t
vj
= 25°C.
a - außerster Verlauf/limiting characteristic
b - typischer Verlauf/typical charcteristic
0
200
150
100
50
[
µAs
]
Q
r
- di
T
/dt
[
A/µs
]
5 A
10 A
20 A
50 A
i
TM
= 500 A
20
40
60
80
100
120
TT 111 F 02...08
Bild / Fig. 18
Sperrverzögerungsladung Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom I
TM
/
Recovert charge Q
r
= f(di/dt)
t
vj
= t
vj max
, vR = 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: on-state current I
TM
100 A
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